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DMN2100UDM
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
20
15
10
5
T A = 25°C
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
1.2
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
C iss
100
C oss
C rss
f = 1MHz
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
1
0.1
0.01
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 88°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 10 Transient Thermal Resistance
DMN2100UDM
Document number: DS31186 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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